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近年来随着信息通信数据量的增加，要求手机、卫星通信等无线用基站所用的半导体放大器件能有更高的输出率。此外，用于预报近年来的突发性暴雨等气象灾害的气象雷达对高输出放大器件的需求也在增加。与传统的GaAs FET相比，GaN HEMT（※1）能在高电压、高温下运转，无需冷却元件，从而使放大器得以高输出化和小型化，因此在上述领域很快得到采用。本公司之前供应面向手机基站和S波段（※2）雷达的高输出GaN HEMT，获得了较高的市场占有率，以这些技术为基础，又研发出了在高频波段（C波段（※3）、X波段（※4）、Ku波段（※5））运转的内部整合型高输出GaN HEMT，并开始向市场供应产品。
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