2010年11月24日

住友电气工业株式会社

　　住友电气工业株式会社最近确立了用于绿色激光的半极性面及非极性面的2英寸GaN（氮化镓）基板的量产技术。

　　本公司去年成功进行了绿色半导体激光的振荡，并为了实现这种绿色激光以及提高白色LED的效率，不断推进可抑制极性基板中存在的压电效应、提高发光效率的半极性和非极性GaN基板的生产技术开发。

　　一般生产半极性和非极性GaN基板时，使用纵向或斜向切割c面（注1）GaN结晶的方法，因此只能生产小片（几mm左右的矩形短片）的基板，成为阻碍设备量产的重大课题。

　　本公司通过使用独自开发的H-VPE生产技术，确立了适合实用化的直径2英寸基板的量产技术，影响设备特性的基板的位错密度达到10的5次方，丝毫不逊色于现在正在量产的c面基板。

以上

（注1）c面：在白色LED、蓝紫色和蓝色激光中通常使用的GaN结晶面。是具有正电荷的Ga和具有负电荷的N交互排列的结晶，极性较强。在绿色领域，因这种极性，发光元件的效率将降低。